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IBM和三星助推 MRAM PRAM

2016-12-02 16:45:48

         DRAM 发展快到尽头,磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM 和三星电子最近宣称,“自旋传输磁性存储器(STT-MRAM)”的研究出现突破,有望加速走上商用之途。
 
        IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称,两家公司携手研发的 STT-MRAM 的生产技术,成功实现 10 纳秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构,理论上表现超越 DRAM。


 
       STT-MRAM 借着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流,表现效能和价格竞争力都优于 DRAM。最重要的是,DRAM 很难微缩至 10 纳米以下,STT-MRAM 则没有此一困扰。业界人士表示,STT-MRAM 是次世代存储器中最实际的替代方案,95% 的现行 DRAM 产设备皆可用于制造 STT-MRAM。IBM 和三星之外,SK 海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)也协力研发此一技术。


 
       除了 STT-MRAM,近来相变存储芯片(PRAM)也备受瞩目,英特尔的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技术。PRMA 结合 DRAM 和 NAND Flash 优点,速度和耐用性提高 1 千倍,不过目前仍在理论阶段。

       深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
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